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参数目录34285
> PDTC114EE,115 TRANS NPN 50V 100MA SOT346
型号:
PDTC114EE,115
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
NXP Semiconductors
描述:
TRANS NPN 50V 100MA SOT346
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
PDTC114EE,115 PDF
标准包装
3,000
系列
-
晶体管类型
NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大)
100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
50V
电阻器 - 基极 (R1)(欧)
10k
电阻器 - 发射极 (R2)(欧)
10k
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
30 @ 5mA,5V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)
150mV @ 500µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大)
1µA
频率 - 转换
230MHz
功率 - 最大
150mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SC-75,SOT-416
供应商设备封装
SC-75
包装
带卷 (TR)
其它名称
568-8090-2
934051540115
PDTC114EE T/R
PDTC114EE T/R-ND
PDTC114EE,115-ND
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